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SI2301BDS-T1-E3

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
10 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Estatuto do produto:
Atividade
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
375 pF @ 6 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
700mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2301
Introdução
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Montador de superfície SOT-23-3 (TO-236)
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