SUD19P06-60-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
60mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1710 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18.3A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto de base:
SUD19
Introdução
P-Canal 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Montador de superfície TO-252AA
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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