Si1012CR-T1-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 20V SC75A
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SC-75, SOT-416
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
2 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
396mOhm @ 600mA, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
43 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SC-75A
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
630mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
240mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI1012
Introdução
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Montador de superfície SC-75A
PRODUTOS CONEXOS
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
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SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
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SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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