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IRFD110PBF

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
8,3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 600mA, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Pacote:
Tubos
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
4-HVMDIP
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFD110
Introdução
N-canal 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) através do buraco 4-HVMDIP
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