SISS23DN-T1-GE3

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
300 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.5mOhm @ 20A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
8840 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Série:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8S
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SISS23
Introdução
P-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
PRODUTOS CONEXOS
2N7002E-T1-E3

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3

SI7148DP-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.

A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SQSA12CENW-T1_GE3

SQSA12CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
SI4058DY-T1-GE3

SI4058DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar um relatório sobre a aplicação do presente regulamento.

A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar um relatório sobre a aplicação do presente regulamento.

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
IRFS9N60ATRLPBF

IRFS9N60ATRLPBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3

MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3

MOSFET P-CH 100V 93A TO263
SI7439DP-T1-E3

SI7439DP-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
IRFU420PBF

IRFU420PBF

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
SI7463ADP-T1-GE3

SI7463ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
O número de veículos deve ser igual ou superior a:

O número de veículos deve ser igual ou superior a:

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Imagem parte # Descrição
2N7002E-T1-E3

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3

SI7148DP-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.

A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SQSA12CENW-T1_GE3

SQSA12CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
SI4058DY-T1-GE3

SI4058DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar um relatório sobre a aplicação do presente regulamento.

A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar um relatório sobre a aplicação do presente regulamento.

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
IRFS9N60ATRLPBF

IRFS9N60ATRLPBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3

MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3

MOSFET P-CH 100V 93A TO263
SI7439DP-T1-E3

SI7439DP-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
IRFU420PBF

IRFU420PBF

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
SI7463ADP-T1-GE3

SI7463ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
O número de veículos deve ser igual ou superior a:

O número de veículos deve ser igual ou superior a:

MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
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