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SI7119DN-T1-GE3

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.05 Ohm @ 1A, 10V
FET Type:
P-Channel
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
666 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7119
Introdução
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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