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A partir de 1 de janeiro de 2017

Name: A partir de 1 de janeiro de 2017
Brand: A partir de 1 de janeiro de 2017
SKU: A partir de 1 de janeiro de 2017
Rating: 4.9 (190 reviews)

fabricante:

Vishay Siliconix

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8

Categoria:

Produtos de semicondutor discretos

Especificações

Category:

Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature:

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.2V @ 250µA

Operating Temperature:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case:

PowerPAK® 1212-8

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

45 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

4.3mOhm @ 10A, 10V

FET Type:

N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

4.5V, 10V

Package:

Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss):

30 V

Vgs (Max):

+20V, -16V

Product Status:

Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

2070 pF @ 15 V

Mounting Type:

Surface Mount

Series:

TrenchFET®

Pacote de dispositivos do fornecedor:

PowerPAK® 1212-8

Mfr:

Vishay Siliconix

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

25A (Tc)

Power Dissipation (Max):

3.5W (Ta), 28W (Tc)

Tecnologia:

MOSFET (óxido de metal)

Base Product Number:

SISA12

Introdução

N-Channel 30 V 25A (Tc) 3,5 W (Ta), 28 W (Tc) PowerPAK® 1212-8

PRODUTOS CONEXOS

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7148DP-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

IRFP21N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

SIJ478DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252