A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de produção de CO2 deve ser fixada no nível de produção de CO2.
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
35 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28mOhm @ 5A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1275 pF @ 6 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Series:
TrenchFET®
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
SI2333
Introdução
P-Canal 12 V 6A (Tc) 1,2 W (Ta), 1,7 W (Tc) Montador de superfície SOT-23-3 (TO-236)
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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