SI7113ADN-T1-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.6V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
16.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
132mOhm @ 3.8A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (máximo):
± 20V
Product Status:
Active
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
515 pF
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
27.8W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7113
Introdução
P-Channel 100 V 10.8A (Tc) 27.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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