SQJ872EP-T1_GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35.5mOhm @ 10A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
7.5V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (máximo):
± 20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1045 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
24.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
55W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQJ872
Introdução
N-Channel 150 V 24.5A (Tc) 55W (Tc) PowerPAK® SO-8
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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