SI4154DY-T1-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.3mOhm @ 15A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
4230 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Série:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
36A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4154
Introdução
N-Canal 40 V 36A (Tc) 3,5 W (Ta), 7,8 W (Tc) Montar na superfície 8-SOIC
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
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