SUM70101EL-GE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
190 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.1mOhm @ 30A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
7000 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Série:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SUM70101
Introdução
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montador de superfície TO-263 (D2Pak)
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
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2N7002E-T1-E3 |
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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção deve ser especificado. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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